Temperature dependence of quantum efficiency of InGaN/GaN led structures at high current density

Temperature dependence of quantum efficiency of blue LED structures based on multiple InGaN/GaN quantum wells is studied at different forward currents. At high current densities, an increase in the quantum efficiency with increasing temperature is observed. Simulation of the dependences of the quant...

Полное описание

Библиографическая информация

Опубликовано в: :	Russian physics journal Vol. 58, № 5. P. 641-645
Соавтор:	Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников
Другие авторы:	Prudaev, Ilya A., Romanov, I. S., Brudnyi, Valentin N., Kopyev, Viktor V.
Формат:	Статья в журнале
Язык:	English
Предметы:	светоизлучающие диоды нитрид индия-галлия нитрид галлия квантовая эффективность квантовые ямы статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000535777 Перейти в каталог НБ ТГУ