Формирование морфологии на поверхности n-GaN методом жидкостного химического травления
Увеличение внешнего квантового выхода является ключевой проблемой изготовления светодиодных структур. Для решения данной проблемы используется метод по созданию сложной морфологии на светоизлучающей поверхности. В данной работе предлагается использование метода жидкостного химического травлени...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 58, № 10/3. С. 147-149 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Corporate Authors: | , |
| Other Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000535799 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| LEADER | 03320nab a2200349 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | vtls000535799 | ||
| 003 | RU-ToGU | ||
| 005 | 20240405165618.0 | ||
| 007 | cr | | ||
| 008 | 170613|2015 ru s c rus d | ||
| 035 | |a to000535799 | ||
| 039 | 9 | |a 201706130105 |b 100 |c 201606140953 |d cat202 |c 201606101504 |d VLOAD |y 201606101458 |z Александр Эльверович Гилязов | |
| 040 | |a RU-ToGU |b rus |c RU-ToGU | ||
| 100 | 1 | |a Засухин, Дмитрий Иннокентьевич |9 443129 | |
| 245 | 1 | 0 | |a Формирование морфологии на поверхности n-GaN методом жидкостного химического травления |c Д. И. Засухин, Д. Д. Каримбаев, А. П. Коханенко |
| 504 | |a Библиогр.: 7 назв. | ||
| 520 | 3 | |a Увеличение внешнего квантового выхода является ключевой проблемой изготовления светодиодных структур. Для решения данной проблемы используется метод по созданию сложной морфологии на светоизлучающей поверхности. В данной работе предлагается использование метода жидкостного химического травления в смешанном растворе гидроксида калия KOH и пероксодисульфата калия K2S2O8 для формирования морфологии на поверхности n-GaN, после лазерного отделения сапфировой подложки. В результате на поверхности формируются конусы размером 1-1.5 мкм. Определена зависимость морфологии поверхности от концентрации раствора и времени травления. | |
| 653 | |a шероховатость поверхности | ||
| 653 | |a химическое травление | ||
| 653 | |a нитрид галлия | ||
| 653 | |a морфология поверхности | ||
| 655 | 4 | |a статьи в журналах |9 879358 | |
| 700 | 1 | |a Каримбаев, Дамир Джамаллитдинович |9 263648 | |
| 700 | 1 | |a Коханенко, Андрей Павлович |9 65555 | |
| 710 | 2 | |a Томский государственный университет |b Радиофизический факультет |b Кафедра квантовой электроники и фотоники |9 74990 | |
| 710 | 2 | |a Томский государственный университет |b Сибирский физико-технический институт |b Научные подразделения СФТИ |9 106941 | |
| 773 | 0 | |t Известия высших учебных заведений. Физика |d 2015 |g Т. 58, № 10/3. С. 147-149 |x 0021-3411 |w 0026-80960 | |
| 852 | 4 | |a RU-ToGU | |
| 856 | 7 | |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000535799 | |
| 856 | |y Перейти в каталог НБ ТГУ |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=395001 | ||
| 908 | |a статья | ||
| 999 | |c 395001 |d 395001 | ||