Формирование морфологии на поверхности n-GaN методом жидкостного химического травления
Увеличение внешнего квантового выхода является ключевой проблемой изготовления светодиодных структур. Для решения данной проблемы используется метод по созданию сложной морфологии на светоизлучающей поверхности. В данной работе предлагается использование метода жидкостного химического травления в см...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 58, № 10/3. С. 147-149 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Corporate Authors: | , |
| Other Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000535799 |