Исследование возможностей термического напыления тонких слоев Ga2O3 и GaSe на подложки из сапфира и селенида галлия
Published in: | Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, Россия С. 184-186 |
---|---|
Other Authors: | Мамежанов, Максат Кайратович, Коротченко, Зоя Владимировна, Редькин, Руслан Александрович, Саркисов, Сергей Юрьевич, Березная, Светлана Александровна |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000565718 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
- Исследование возможностей термического напыления тонких слоев Ga2O3 и GaSe на подложки из сапфира и селенида галлия
- Пленки оксида галлия, полученные методом термического напыления
-
Electronic properties of GaSe, InSe, GaS and GaTe layered semiconductors: charge neutrality level and interface barrier heights
by: Brudnyi, Valentin N. - Transmission spectra and generation of terahertz pulses in SiO2-GaSe, TiO2-GaSe, Ga2O3-GaSe and GaSe:S structures
- Исследование способов получения и временной стабильности нанослоев GaSe и InSe