Effect of the barrier thickness on the optical properties of InGaN/GaN/Al2O3 (0001) LED heterostructures

The results of numerical and experimental study of the electric field strength, photoluminescence wavelength, and internal quantum efficiency of InGaN/GaN (0001) blue LED heterostructures consisting of InGaN multiple quantum wells and GaN barrier layers with the thicknesses of 3, 10, and 15 nm are p...

Полное описание

Библиографическая информация

Опубликовано в: :	Russian physics journal Vol. 58, № 7. P. 996-1000
Другие авторы:	Romanov, I. S., Brudnyi, Valentin N., Kopyev, Viktor V., Novikov, Vadim A., Marmalyuk, A. A., Kureshov, V. A., Sabitov, D. R., Mazalov, A. V., Prudaev, Ilya A.
Формат:	Статья в журнале
Язык:	English
Предметы:	галлий нитрид индия квантовые ямы Штарка эффект фотолюминесценция светодиоды статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000577753 Перейти в каталог НБ ТГУ