Спектры пропускания и генерация терагерцовых импульсов в структурах SiO2-GaSe, TiO2-GaSe, Ga2O3-GaSe и GaSe:S
Проведено термическое и магнетронное напыление аморфных тонких пленок SiO 2, TiO 2 и Ga 2O 3 на поверхность кристаллов GaSe. Установлено, что при различных технологических условиях слои SiO 2 и TiO 2 на поверхности GaSe растрескиваются, в то время как Ga 2O 3 образует совершенные пленки. Проведено с...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 58, № 8. С. 131-135 |
|---|---|
| Other Authors: | , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000577312 |