On the effect of ballistic overflow on the temperature dependence of the quantum efficiency of InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes

The dependences of the quantum efficiency of InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes on the temperature and excitation level are studied. The experiment is performed for two luminescence excitation modes. A comparison of the results obtained during photo- and electroluminescence shows...

Полное описание

Библиографическая информация

Опубликовано в: :	Semiconductors Vol. 51, № 2. P. 232-238
Другие авторы:	Kopyev, Viktor V., Romanov, I. S., Oleynik, V. L., Prudaev, Ilya A.
Формат:	Статья в журнале
Язык:	English
Предметы:	квантовая эффективность светоизлучающие диоды люминесценция статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000615998 Перейти в каталог НБ ТГУ