Альтернативные технологии создания структур с квантовыми точками Ge/Si

Альтернативные технологии создания структур с квантовыми точками Ge/Si

Bibliographic Details
Published in:	Вакуумная техника, материалы и технология : материалы X международной научно-технической конференции (Москва, КВЦ "Сокольники", 2015, 14-16 апреля) С. 243-248
Other Authors:	Кульчицкий, Николай Александрович, Войцеховский, Александр Васильевич, Несмелов, Сергей Николаевич, Коханенко, Андрей Павлович, Лозовой, Кирилл Александрович, Мельников, Александр Александрович доктор физ.-мат. наук
Format:	Book Chapter
Language:	Russian
Subjects:	альтернативные технологии квантовые точки молекулярно-лучевая эпитаксия ионная имплантация статьи в сборниках
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000617825

Similar Items

Особенности создания кремний-германиевых наноструктур с квантовыми точками для перспективных приборов микро- и оптоэлектроники

Технология создания структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией

Наногетероструктуры Ge/Si с упорядоченными квантовыми точками Ge для применения в оптоэлектронике

Создание структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией в режиме Странского-Крастанова

Влияние параметров синтеза гетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge на морфологию массива квантовых точек Ge
by: Пищагин, Антон Александрович

Свойства гетероструктур с квантовыми точками Ge/Si для нанофотоники

Спектральные характеристики системы материалов Si с квантовыми точками Ge
by: Торопов, Никита Александрович

Темновой ток фотодетекторов на основе многослойных структур с квантовыми точками

Зависимость темнового тока фотоприемников с квантовыми точками от разброса наноостровков по размерам

The growth of SiGe nanostructures by molecular beam epitaxy

Темновой ток фотодетекторов на основе многослойных структур с квантовыми точками

Разработка конструкции высокоэффективного преобразователя солнечной энергии на основе полупроводниковых структур Ge/Si с квантовыми точками Ge
by: Пищагин, Антон Александрович

Оптоэлектронные элементы на основе материальной системы кремний - германий с квантовыми точками германия
by: Кравцова, Наталья Сергеевна

Оптимизация ростовых условий для улучшения параметров фотоприемников и солнечных элементов с квантовыми точками
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Elongated quantum dots of Ge on Si growth kinetics modeling with respect to the additional energy of edges

Управление параметрами массива квантовых точек Ge на поверхности Si в процессе роста

GE/SI quantum dots formation by the method of molecular beam epitaxy

Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Параметры фоточувствительных структур на основе наногетероструктур Ge/Si
by: Духан, Рахаф М. Х.

Analysis of carrier species in arsenic-implanted p- and n-type Hg0.7Cd0.3Te

Совершенствование технологии синтеза гетероструктур Si/Ge c квантовыми точками Ge методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Пищагин, Антон Александрович

Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods

Si/Ge-based photosensitive nanoheterostructures for optical communication systems

Controlling of Ge quantum dots arrays parameters in Ge/Si nanoheterostructures grown by molecular beam epitaxy method

Синтез квантовых точек Ge на Si(100) и Si(111) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Дирко, Владимир Владиславович

Investigation of GeSi quantum dot structures using the methods of admittance spectroscopy

Ge/Si elongated quantum dots formation modelling with respect to the energy of edges
by: Kokhanenko, Andrey P.

The effect of As+ Ion implantation and annealing on the electrical properties of near-surface layers in graded-gap n-Hg0.78Cd0.22Te films

Радиационные донорные дефекты в имплантированных As МЛЭ пленках Cd0.3Hg0.7Te: накопление и отжиг

Радиационные донорные дефекты в имплантированных As МЛЭ пленках CdHgTe

Ионная имплантация в гетероэпитаксиальные слои и кристаллы p-CdxHg1-xTe
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Формирование слоев квантовых ям и квантовых точек GeSi методом МЛЭ для ИК-фотоприемников

Nanostructures with Ge-Si quantum dots for infrared photodetectors

Critical thickness of transition from 2D to 3D growth and peculiarities of quantum dots formation in GexSi1-x/Sn/Si and Ge1-ySny/Si systems
by: Lozovoy, Kirill A.

Локализация и природа радиационных донорных дефектов в имплантированных мышьяком МЛЭ пленках CdHgTe

Влияние различных стадий процессов ионной имплантации и отжига в МЛЭ HgCdTe на адмиттанс тестовых структур металл-диэлектрик-полупроводник

Особенности получения квантовых точек Ge на поверхности Si (100)
by: Турапин, Алексей Михайлович

Исследование влияния основных параметров эпитаксиального роста на свойства гетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge
by: Серохвостов, Вячеслав Юрьевич

Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100)
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Spectral characteristics of Si:Ge and Hg1-xCdхTe heterostructures