Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на основе арсенида галлия [монография]

В монографии на основе оригинальных представлений последовательно и всесторонне обсуждены различные аспекты природы электрофизических явлений структур с барьером Шоттки на GaAs. Внедрение в промышленность структур с барьером Шоттки потребовало решения вопросов, связанных с повышением надежности и...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Филонов, Николай Григорьевич
Corporate Authors: Томский государственный университет, Томский государственный педагогический университет
Other Authors: Ивонин, Иван Варфоломеевич
Format: eBook
Language:Russian
Published: Томск Издательский Дом Томского государственного университета 2018
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000644762
Перейти в каталог НБ ТГУ

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000644762
Перейти в каталог НБ ТГУ

Научная библиотека ТГУ: Читальный зал 5

Holdings details from Научная библиотека ТГУ: Читальный зал 5
Call Number: 621.3 Ф552
Available  Place a Hold

Научная библиотека ТГУ: Книгохранилище

Holdings details from Научная библиотека ТГУ: Книгохранилище
Call Number: 2-050546
2-050547
Available  Place a Hold
Available  Place a Hold