Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на основе арсенида галлия [монография]
В монографии на основе оригинальных представлений последовательно и всесторонне обсуждены различные аспекты природы электрофизических явлений структур с барьером Шоттки на GaAs. Внедрение в промышленность структур с барьером Шоттки потребовало решения вопросов, связанных с повышением надежности и...
Main Author: | |
---|---|
Corporate Authors: | , |
Other Authors: | |
Format: | eBook |
Language: | Russian |
Published: |
Томск
Издательский Дом Томского государственного университета
2018
|
Subjects: | |
Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000644762 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Internet
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000644762Перейти в каталог НБ ТГУ
Научная библиотека ТГУ: Читальный зал 5
Call Number: |
621.3 Ф552 |
---|---|
Available Place a Hold |
Научная библиотека ТГУ: Книгохранилище
Call Number: |
2-050546 2-050547 |
---|---|
Available Place a Hold | |
Available Place a Hold |