Влияние размерных эффектов на электронную структуру гексагонального теллурида галлия
С использованием методов теории функционала плотности выполнены расчеты электронной зонной структуры слоистого полупроводника GaTe гексагональной модификации. Структурные параметры объемного кристалла с симметрией beta-политипа определены с учетом ван-дер-ваальсовых взаимодействий и согласуются с эк...
| Published in: | Физика твердого тела Т. 60, вып. 9. С. 1645-1649 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Other Authors: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000646228 |