Образование поверхностных дефектов в n-CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением лазерной плазмы

Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур, полученных на основе эпитаксиальных слоев n-Cd0,24Hg0,76Te, подвергнутых воздействию мягкого рентгеновского излучения. Показано, что в результате релаксации электронных возбуждений в приповерхностном слое полупроводника генерируются точечные...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :Прикладная физика № 4. С. 54-60
Другие авторы: Войцеховский, Александр Васильевич, Ананьин, Олег Борисович, Мелехов, Андрей Петрович, Несмелов, Сергей Николаевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Средин, Виктор Геннадиевич
Формат: Статья в журнале
Язык:Russian
Предметы:
Online-ссылка:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000667712
Перейти в каталог НБ ТГУ