Образование поверхностных дефектов в n-CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением лазерной плазмы
Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур, полученных на основе эпитаксиальных слоев n-Cd0,24Hg0,76Te, подвергнутых воздействию мягкого рентгеновского излучения. Показано, что в результате релаксации электронных возбуждений в приповерхностном слое полупроводника генерируются точечные...
Опубликовано в: : | Прикладная физика № 4. С. 54-60 |
---|---|
Другие авторы: | , , , , , |
Формат: | Статья в журнале |
Язык: | Russian |
Предметы: | |
Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000667712 Перейти в каталог НБ ТГУ |