Образование поверхностных дефектов в n-CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением лазерной плазмы
Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур, полученных на основе эпитаксиальных слоев n-Cd0,24Hg0,76Te, подвергнутых воздействию мягкого рентгеновского излучения. Показано, что в результате релаксации электронных возбуждений в приповерхностном слое полупроводника генерируются точечные...
Published in: | Прикладная физика № 4. С. 54-60 |
---|---|
Other Authors: | Войцеховский, Александр Васильевич, Ананьин, Олег Борисович, Мелехов, Андрей Петрович, Несмелов, Сергей Николаевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Средин, Виктор Геннадиевич |
Format: | Article |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000667712 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
- Генерация поверхностных дефектов в эпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением лазерной плазмы
- Микроскопический механизм формирования поверхностных дефектов в CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением
- Поверхностное дефектообразование в Cdx Hg1-xTe мягким рентгеновским излучением лазерной плазмы
- Поверхностные дефекты в эпитаксиальных слоях твердых растворов CdxHg1-xTe, создаваемые мягким рентгеновским излучением
- Исследование дефектообразования в эпитаксиальных слоях n-CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением