Измерение времени жизни неравновесных носителей заряда в поликристаллическом кремнии СВЧ-методом
The article is devoted to the possibilities of measuring the lifetime of nonequilibrium charge carriers in polycrystalline silicon by microwave method. The results of measurements of the lifetime in the samples of polycrystalline silicon
Published in: | Инноватика - 2019 : сборник материалов XV Международной школы-конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, 25-27 апреля 2019 г., г. Томск, Россия С. 76-81 |
---|---|
Other Authors: | Левашкин, Андрей Геньевич, Башкиров, Александр Иванович, Лапатин, Леонид Григорьевич, Тимофеева, Мария Александровна |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000671521 |
Similar Items
-
Оценка области применимости кинетического уравнения Больцмана при расчете времени релаксации носителей заряда в изотропном поликристаллическом кремнии p-типа
by: Моисеев, Алексей Георгиевич - Определение времени жизни неравновесных носителей заряда в полуизолирующем GaAs, компенсированном хромом
-
Измерение подвижности носителей заряда в органических светоизлучающих диодах методом переходной электролюминесценции
by: Зятиков, Илья Александрович - Измерение времени жизни носителей заряда в SI-GaAs:Cr и EL2-GaAs методом pump-probe-терагерцовой спектроскопии
-
Сборник задач по физике полупроводников учебное пособие
by: Баранов, Анатолий Вениаминович
Published: (1986)