Исследование эпитаксиальных гетерослоев GeSi/Si методом рентгеновской дифрактометрии
Published in: | Физика твердого тела : сборник материалов XVI Российской научной студенческой конференции, Томск, 17–20 апреля 2018 г. С. 205-206 |
---|---|
Main Author: | Карева, Катерина Валерьевна |
Other Authors: | Дирко, Владимир Владиславович, Заяханов, Владимир Александрович |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000659586 |
Similar Items
-
Расчет параметров фоточувствительных структур на основе наногетероструктур Ge/Si
by: Духан, Рахаф Мохаммедовна - Квантовые ямы InGaAs/GaAs, выращенные методом МЛЭ на искусственных подложках GaAs/Si(001)
- Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов
-
Методика определения степени кристалличности нефтяных смол и асфальтенов методом рентгеновской дифракции
by: Кухаренко, О. А. -
Сверхструктурные переходы при синтезе гетероэпитаксиальных пленок Ge/Si, GeSi/Si методом молекулярно-лучевой эпитаксии диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
by: Дирко, Владимир Владиславович
Published: (2022)