Физические свойства твердых растворов InxAl1-xN
Проанализированы фазовые диаграммы и результаты исследований свойств твердых растворов полупроводниковых соединений GaN, AlN, InN, полученных с использованием магнетронного напыления, МЛЭ- и МОСГФЭ-технологий и предназначенных для производства сверхвысокочастотных HEMT-транзисторов....
Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 61, № 6. С. 142-147 |
---|---|
Main Author: | |
Other Authors: | , |
Format: | Article |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000661208 Перейти в каталог НБ ТГУ |