Влияние встроенных электрических полей на перенос носителей заряда в излучающих структурах InGaN/GaN диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10

Bibliographic Details
Main Author:	Копьев, Виктор Васильевич
Corporate Author:	Томский государственный университет
Other Authors:	Прудаев, Илья Анатольевич (Thesis advisor)
Format:	eBook
Language:	Russian
Published:	Томск [б. и.] 2019
Subjects:	физика полупроводников диссертации светодиоды сверхрешетки квантовые ямы квантовый выход транспорт носителей заряда гетероструктуры светодиодные наногетероструктуры эпитаксия газофазная квантовые ямы множественные квантовые точки резонансное туннелирование электронов InGaN/GaN, светодиодные структуры физико-математические модели плотность тока низкие температуры электрические поля сильные встроенные индий-галлий-азот, светодиодная структура галлий-азот, светодиодная структура
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000667942

Holdings details from Научная библиотека ТГУ: Книгохранилище
Call Number:	2-034971
	Available Place a Hold

Similar Items