Механизм проводимости гетеропереходов Ga2O3-GaAs
Показано, что проводимость структур Ga2O3- п -GaAs при положительных потенциалах на затворе определяется термоэлектронной эмиссией из GaAs в Ga2O3. При отрицательных смещениях проводимость структур обусловлена термополевой эмиссией в арсениде галлия. В области сильных электрических полей преобл...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 12/2. С. 241-245 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Other Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000673372 Перейти в каталог НБ ТГУ |