Адмиттансные характеристики nBn-структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Впервые экспериментально исследован адмиттанс nBn-структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, в широком диапазоне частот и температур. Состав CdTe в барьерном слое исследованных образцов изменялся от от 0.74 до 0.83, а толщина этого слоя – от 210 до 300 нм. Эксперим...
Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 62, № 5. С. 77-85 |
---|---|
Other Authors: | , , , , , |
Format: | Article |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000674190 |