Вольт-амперные характеристики nBn-структур на основе эпитаксиальных пленок кадмий-ртуть-теллур

Экспериментально исследованы вольт-амперные характеристики nBn- структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках из GaAs, в диапазоне температур 9-300 К. Выбор технологических параметров nBn -структур определялся возможностями создания инфракрасных дете...

Full description

Bibliographic Details

Published in:	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 62, № 6. С. 118-124
Other Authors:	Несмелов, Сергей Николаевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Сидоров, Георгий Юрьевич, Войцеховский, Александр Васильевич
Format:	Article
Language:	Russian
Subjects:	кадмий-ртуть-теллур эпитаксиальные пленки вольт-амперные характеристики молекулярно-лучевая эпитаксия энергия активации фототоки статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000675807