Плазменное травление в технологии InAlN/GaN HEMT

Плазменное травление в технологии InAlN/GaN HEMT

Show other versions (1)

Проанализированы экспериментальные данные по плазменному травлению суб-100-нм затворных щелей в транзисторах с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе гетероструктур InAlN/GaN. Рассмотрено влияние параметров процесса плазменного травления на деградацию параметров InAlN/GaN HEMT. Показана...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 63, № 1. С. 84-87
Other Authors: Шахнов, Вадим Анатольевич, Великовский, Леонид Эдуардович, Брудный, Павел Александрович, Демченко, Ольга Игоревна, Филиппов, Иван Андреевич
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
плазменное травление
электроны
гетероструктуры
полевые транзисторы
статьи в журналах
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000708410
Перейти в каталог НБ ТГУ

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000708410
Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items