Подбарьерный и надбарьерный перенос электронов через многослойные полупроводниковые структуры
Рассчитаны коэффициенты прозрачности полупроводниковой структуры, состоящей из чередующихся асимметричных потенциальных барьеров и ям, где учтено условие Бастарда. Показано, что в структуре наблюдается осцилляция коэффициента прохождения электронов в зависимости от их энергии, которая обусловлена ин...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 63, № 4. С. 8-15 |
|---|---|
| Другие авторы: | , , , |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000720629 |