Подбарьерный и надбарьерный перенос электронов через многослойные полупроводниковые структуры
Рассчитаны коэффициенты прозрачности полупроводниковой структуры, состоящей из чередующихся асимметричных потенциальных барьеров и ям, где учтено условие Бастарда. Показано, что в структуре наблюдается осцилляция коэффициента прохождения электронов в зависимости от их энергии, которая обусловлена ин...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 63, № 4. С. 8-15 |
|---|---|
| Other Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000720629 |
| Summary: | Рассчитаны коэффициенты прозрачности полупроводниковой структуры, состоящей из чередующихся асимметричных потенциальных барьеров и ям, где учтено условие Бастарда. Показано, что в структуре наблюдается осцилляция коэффициента прохождения электронов в зависимости от их энергии, которая обусловлена интерференцией волн де Бройля, идущих к барьеру и отраженных от потенциального барьера. Проанализированы электронные состояния многослойной полупроводниковой структуры, состоящей из чередующихся потенциальных ям и барьеров. |
|---|---|
| Bibliography: | Библиогр.: 18 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |
| Access: | Ограниченный доступ |