|
|
|
|
| LEADER |
02815nab a2200397 c 4500 |
| 001 |
vtls000720629 |
| 003 |
RU-ToGU |
| 005 |
20241115163743.0 |
| 007 |
cr | |
| 008 |
200515|2020 ru s c rus d |
| 024 |
7 |
|
|a 10.17223/00213411/63/4/8
|2 doi
|
| 035 |
|
|
|a to000720629
|
| 040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Подбарьерный и надбарьерный перенос электронов через многослойные полупроводниковые структуры
|c Р. Я. Расулов, В. Р. Расулов, Н. З. Мамадалиева, Р. Р. Султанов
|
| 504 |
|
|
|a Библиогр.: 18 назв.
|
| 506 |
|
|
|a Ограниченный доступ
|
| 520 |
3 |
|
|a Рассчитаны коэффициенты прозрачности полупроводниковой структуры, состоящей из чередующихся асимметричных потенциальных барьеров и ям, где учтено условие Бастарда. Показано, что в структуре наблюдается осцилляция коэффициента прохождения электронов в зависимости от их энергии, которая обусловлена интерференцией волн де Бройля, идущих к барьеру и отраженных от потенциального барьера. Проанализированы электронные состояния многослойной полупроводниковой структуры, состоящей из чередующихся потенциальных ям и барьеров.
|
| 653 |
|
|
|a полупроводники
|
| 653 |
|
|
|a многослойные структуры
|
| 653 |
|
|
|a потенциальные ямы
|
| 653 |
|
|
|a потенциальные барьеры
|
| 653 |
|
|
|a волновая функция электрона
|
| 653 |
|
|
|a электроны
|
| 653 |
|
|
|a численное моделирование
|
| 653 |
|
|
|a энергия электронов
|
| 653 |
|
|
|a коэффициент пропускания
|
| 655 |
|
4 |
|a статьи в журналах
|
| 700 |
1 |
|
|a Расулов, Вохоб Рустамович
|
| 700 |
1 |
|
|a Мамадалиева, Наргиза Зокиржон кизи
|
| 700 |
1 |
|
|a Султанов, Равшан Рустамович
|
| 700 |
1 |
|
|a Расулов, Рустам Явкачович
|
| 773 |
0 |
|
|t Известия высших учебных заведений. Физика
|d 2020
|g Т. 63, № 4. С. 8-15
|x 0021-3411
|w 0026-80960
|
| 852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|
| 856 |
4 |
|
|u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000720629
|
| 908 |
|
|
|a статья
|
| 999 |
|
|
|c 467240
|d 467240
|
