Измерение времени жизни носителей заряда в SI-GaAs:Cr и EL2-GaAs методом pump-probe-терагерцовой спектроскопии

Проведено исследование временной динамики релаксации неравновесной концентрации носителей заряда в полупроводниковых кристаллах SI-GaAs:Cr и EL2-GaAs методом pump-probe-терагерцовой спектроскопии. Проанализированы полученные экспериментальные данные с учетом механизмов поверхностной и объемной...

Full description

Bibliographic Details

Published in:	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 63, № 4. С. 16-21
Other Authors:	Кобцев, Даниил Александрович, Редькин, Руслан Александрович, Саркисов, Сергей Юрьевич, Толбанов, Олег Петрович, Тяжев, Антон Владимирович, Колесникова, Ирина Игоревна
Format:	Article
Language:	Russian
Subjects:	полупроводниковые кристаллы легированные неравновесные носители заряда время жизни терагерцовая спектроскопия метод накачки-зондирования арсенид галлия статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000720735 Перейти в каталог НБ ТГУ