Особенности адмиттанса МДП структур на основе МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0,30)
В широком диапазоне условий измерения экспериментально исследован адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ p-Hg1-xCdxTe/Si(013) с приповерхностным варизонным слоем с повышенным содержанием CdTe и без такого слоя, причем при использовании в качестве диэлектрика Al2O3 и CdTe/Al2O3. Показано, что вольт-фар...
Published in: | Прикладная физика № 3. С. 22-26 |
---|---|
Other Authors: | , , , , , , , |
Format: | Article |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000723485 |