Построение сети Хемминга на основе кроссбара с бинарными мемристорами
Описаны свойства аналоговых и бинарных мемристоров (резисторов с памятью), которые могут быть использованы для аппаратной реализации синапсов нейронов, а также мемристорные матрицы, называемые кроссбарами. Бинарные мемристоры, сопротивление которых принимает только два значения (максимальное и ми...
| Published in: | Прикладная дискретная математика № 40. С. 105-113 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000629909 Перейти в каталог НБ ТГУ |