Особенности фотоэлектрических характеристик структур TiO2-Si

Исследовано влияние термического отжига в аргоне на фотоэлектрические характеристики структур TiO2- n -Si. Пленки оксида титана толщиной 70 нм получали ВЧ-магнетронным напылением на эпитаксиальный кремний с концентрацией доноров N d = 7∙1014 см-3. Показано, что при положительных потенциалах на элект...

Full description

Bibliographic Details

Published in:	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 58, № 8/3. С. 143-146
Other Authors:	Калыгина, Вера Михайловна, Прудаев, Илья Анатольевич, Толбанов, Олег Петрович, Егорова, Ирина Максимовна
Format:	Article
Language:	Russian
Subjects:	фотоэлектрические характеристики пленки оксида титана фотопроводимость температура отжига обратные токи статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000577577