Определение дефектности приповерхностного слоя полупроводниковых гетероструктур на основе МЛЭ HgCdTe при измерении адмиттанса МДП-структур

Определение дефектности приповерхностного слоя полупроводниковых гетероструктур на основе МЛЭ HgCdTe при измерении адмиттанса МДП-структур

Bibliographic Details
Published in:	Седьмая Международная конференция "Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов", посвященная памяти профессора С. С. Горелика ; Вторая Международная школа молодых ученых "Актуальные проблемы современного материаловедения", Москва, 2-5 октября 2017 г. : тезисы докладов С. 58
Other Authors:	Войцеховский, Александр Васильевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Сидоров, Георгий Юрьевич, Варавин, Василий Семенович, Васильев, Владимир Васильевич физик, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Якушев, Максим Витальевич, Несмелов, Сергей Николаевич
Format:	Book Chapter
Language:	Russian
Subjects:	молекулярно-лучевая эпитаксия МДП-структуры электрофизические исследования дефекты приповерхностные слои полупроводниковые гетероструктуры адмиттанс статьи в сборниках
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000622619

Similar Items

Определение спектров поверхностных состояний при значительном гистерезисе электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe

Исследование адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe с квантовыми ямами

Адмиттанс МДП-структур на основе HgCdTe с двухслойным диэлектриком CdTe/Al2O3

Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-HgCdTe (x = 0,22—0,23)
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Влияние приповерхностных варизонных слоев на адмиттанс МДП-структур на основе молекулярно-лучевой эпитаксии n(p)-Hg1-xCdxTe (x = 0,21...0,23) в диапазоне температур 9...77 К

Исследование характеристик структур МДП на основе МЛЭ n-HgCdTe в конфигурации NBvN методом спектроскопии адмиттанса

Влияние освещения на адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ HgCdTe

Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23) в режиме сильной инверсии
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Адмиттанс тестовых МДП-приборов на основе nBn-структур из МЛЭ HgCdTe

Исследование характеристик структур МДП на основе МЛЭ N-HgCdTe в конфигурации nBνN методом спектроскопии адмиттанса

Особенности адмиттанса МДП структур на основе МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0,30)

Admittance of HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum well

Электрофизические характеристики МДП-структур на основе пентацена с диэлектриком SiO2

Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ N-HG 1-ХCD ХTE (X = 0.31-0.32) в диапазоне температур 8-300 К

Admittance of MIS structures based on graded-gap MBE HgCdTe with Al2O3 insulator

Admittance of MIS structures based on nBn systems of epitaxial HgCdTe for detection in the 3-5 μm spectral range

Admittance of MIS-structures based on HgCdTe with a double-layer CdTe/Al2O3 insulator

Воздействие оптического излучения на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями

Адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ Hg1-xCdxTe (x = 0,21-0,23) в широком диапазоне температур

Electrophysical characteristics of the pentacene-based MIS structures with a SiO2 insulator

Admittance of barrier nanostructures based on MBE HgCdTe

Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе варизонного HgCdTe
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Electrical properties of n‑HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum wells

Особенности моделирования частотных зависимостей адмиттанса МДП-структуры на основе органической пленки P3HT с диэлектрическим слоем Al2O3
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Aдмиттанс МДП-структур на основе nBn-систем из эпитаксиального HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральном диапазоне 3−5 µm

Admittance studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing

Admittance of metal-insulator-semiconductor devices based on HgCdTe nBn structures

Электрофизические свойства МДП-структур на основе пентацена в широком диапазоне температур

Influence of As+ Ion implantation on properties of MBE HgCdTe near-surface layer characterized by metal-insulator-semiconductor techniques

Модификация поверхности твердых растворов CdхHg1-хTe рентгеновским излучением

Влияние импульсного объемного наносекундного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства МДП-структур на основе p-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Исследование электрофизических свойств МДП-структур на основе ГЭС КРТ МЛЭ
by: Зотов, Е. А.

МДП-структуры на основе варизонного МЛЭ HgCdTe для инфракрасных детекторов

Effect of pulse nanosecond volume discharge in air at atmospheric pressure on electrical properties of MIS structures based on p-HgCdTe grown by molecular beam epitaxy

Temperature and field dependences of parameters of the equivalent circuit elements of MIS structures based on MBE n-Hg0.775Cd0.225Te in the strong inversion mode
by: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Адмиттанс МДП-приборов на основе теллурида кадмия ртути с одиночными квантовыми ямами теллурида ртути в активной области

Проблемы получения бездефектных полупроводниковых гетероструктур методами МЛЭ
by: Пчеляков, Олег Петрович

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
by: Дзядух, Станислав Михайлович
Published: (2010)

Modification of electrophysical parameters of HgCdTe epitaxial heterostructures under the action of a pulsed nanosecond discharge in gas environment at atmospheric-pressure

Impact of the graded-gap layer on the admittance of MIS structures based on MBE-grown n-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23) with the Al2O3 insulator