Оптические и фотоэлектрические свойства светодиодных гетероструктур на основе GaN

Библиографическая информация
Опубликовано в: :Известия высших учебных заведений. Физика Т. 56, № 8/3. С. 177-180
Корпоративные авторы: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники, Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ, Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
Другие авторы: Зубрилкина, Юлия Леонидовна, Исупова, Ольга Владимировна, Прудаев, Илья Анатольевич, Романов, Иван Сергеевич, Гермогенов, Валерий Петрович
Формат: Статья в журнале
Язык:Russian
Предметы:
Online-ссылка:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000468388