Диффузионное ограничение темнового тока в nBn-структурах на основе МЛЭ HgCdTe

Изучены темновые токи в средневолновых nBn-структурах на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs (013). Пассивация поверхности боковых стенок мезаструктур проводилась путем формирования пленок Al2O3 методом плазменного атомно-слоевого осаждения. Показано...

Full description

Bibliographic Details

Published in:	Прикладная физика № 1. С. 25-31
Other Authors:	Войцеховский, Александр Васильевич, Несмелов, Сергей Николаевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Сидоров, Георгий Юрьевич, Якушев, Максим Витальевич
Format:	Article
Language:	Russian
Subjects:	инфракрасные детекторы молекулярно-лучевая эпитаксия темновой ток вольт-амперная характеристика диффузионное ограничение nBn-структура HgCdTe статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000565142