Физические основы метрологии полупроводниковых фотоматериалов и тестирование сложных соединений на основе арсенида галлия
Опубликовано в: : | Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП С. 60-61 |
---|---|
Главный автор: | |
Другие авторы: | |
Формат: | Статья в сборнике |
Язык: | Russian |
Предметы: | |
Online-ссылка: | Перейти в каталог НБ ТГУ |