LEADER 01583naa a2200289 4500
001 koha000656201
008 210705s1999 ru f 10 0 rus d
035 |a koha000656201 
039 |z 26  |b 100 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
100 1 |9 371900  |a Карлова, Гелия Федоровна 
245 1 0 |a Модель протекания тока в p-nизлучающих структурах на основе арсенида галлия  |c Г. Ф. Карлова, А. В. Ханин, С. М. Гущин 
504 |a Библиогр.: 3 назв. 
653 |a арсенид галлия 
653 |a полупроводниковое материалы 
653 |a ИК-диапазон 
653 |a излучающие диоды 
653 |a экспериментальные исследования 
653 |a вольт-амперная характеристика 
653 |a вольт-фарадная характеристика 
700 1 |a Ханин, А. В  |9 509624 
700 1 |a Гущин, Сергей Михайлович  |9 659316 
773 0 |t Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП  |d Томск, 1999  |g С. 164-166  |w 0143-10460 
852 4 |a RU-ToGU  |n ru 
856 |y Перейти в каталог НБ ТГУ  |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=656201 
908 |a статья 
999 |c 656201  |d 656201