Модель протекания тока в p-nизлучающих структурах на основе арсенида галлия
Published in: | Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП С. 164-166 |
---|---|
Main Author: | Карлова, Гелия Федоровна |
Other Authors: | Ханин, А. В, Гущин, Сергей Михайлович |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
- Вольт-амперные характеристики структур арсенида галлия с барьером Шоттки, полученных с использованием очистки поверхности в потоке атомарного водорода
-
Влияние проводимости базы на ВАХ диодных структур, сформированных диффузией Fe или Cr B GaAs
by: Будницкий, Давыд Львович -
Влияние Г-X рассеяния на гетерограницах GaAs (001) туннелировании электронов в структурах AlAs/GaAs (111) ВАХ резонансно-туннельных структур
by: Воронков, А. А -
Моделирование распределения напряженности поля арсенид-галлиевых детекторов, компенсированных хромом
by: Тяжев, Антон Владимирович -
Измерение и моделирование вольт-амперных характеристик арсенид-галлиевых сенсоров высокоэнергетических электронов
by: Маковский, Артем Александрович