Фононный спектр LED-гетероструктуры InGaN/GaN с квантовыми ямами

Измерения фононного спектра LED-гетероструктуры на основе барьера In0.12Ga0.88N/GaN показали наличие в нём четырех пиков фононного излучения с энергиями 0.193, 0.207, 0.353 и 0.356 эВ. Из сравнения результатов проведённого расчета энергетического спектра электронной и дырочной квантовых ям с получен...

Full description

Bibliographic Details

Published in:	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 64, № 3. С. 144-147
Main Author:	Давыдов, Валерий Николаевич
Other Authors:	Лапин, Алексей Николаевич, Задорожный, Олег Федорович
Format:	Article
Language:	Russian
Subjects:	квантовые ямы экспериментальные исследования фононные спектры светодиодные гетероструктуры статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000720991