Темновые токи униполярных барьерных структур на основе теллурида кадмия и ртути для длинноволновых инфракрасных детекторов

Изготовлены два вида длинноволновых nBn-структур на основе теллурида кадмия и ртути, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs(013). Для каждого вида приборов боковые стенки мезаструктур пассивировались диэлектрической пленкой Al2O3 или оставлялись без пассивации. Содерж...

Full description

Bibliographic Details

Published in:	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 64, № 5. С. 3-8
Other Authors:	Войцеховский, Александр Васильевич, Несмелов, Сергей Николаевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Сидоров, Георгий Юрьевич, Якушев, Максим Витальевич
Format:	Article
Language:	Russian
Subjects:	молекулярно-лучевая эпитаксия длинноволновые инфракрасные детекторы темновой ток поверхностная утечка пассивация nBn-структура теллурид кадмия-ртути статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000721027