Темновые токи униполярных барьерных структур на основе теллурида кадмия и ртути для длинноволновых инфракрасных детекторов
Изготовлены два вида длинноволновых nBn-структур на основе теллурида кадмия и ртути, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs(013). Для каждого вида приборов боковые стенки мезаструктур пассивировались диэлектрической пленкой Al2O3 или оставлялись без пассивации. Содерж...
Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 64, № 5. С. 3-8 |
---|---|
Other Authors: | Войцеховский, Александр Васильевич, Несмелов, Сергей Николаевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Сидоров, Георгий Юрьевич, Якушев, Максим Витальевич |
Format: | Article |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000721027 |
Similar Items
- Темновые токи бариодных структур на основе теллурида кадмия ртути для средне- и длинноволновых инфракрасных детекторов
- Dark currents of unipolar barrier structures based on mercury cadmium telluride for long-wave IR detectors
- Адмиттанс барьерных структур на основе теллурида кадмия – ртути
- Темновые и сигнальные характеристики униполярных барьерных структур на основе n-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках
- Импеданс МДП-приборов на основе nBn-структур из теллурида кадмия – ртути