|
|
|
|
| LEADER |
01719naa a2200313 c 4500 |
| 001 |
koha000721084 |
| 005 |
20211110103111.0 |
| 008 |
211110s2002 ru f 100 0 rus d |
| 035 |
|
|
|a koha000721084
|
| 039 |
|
|
|z 26
|b 26
|
| 040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Совершенство кристаллической структуры монокристаллов GaAs:Te при примесном упорядочении
|c В. А. Богданова, Н. А. Давлеткильдеев, А. А. Коротченко [и др.]
|
| 504 |
|
|
|a Библиогр: 5 назв.
|
| 653 |
|
|
|a арсенид галлия
|
| 653 |
|
|
|a монокристаллы
|
| 653 |
|
|
|a Чохральского метод
|
| 653 |
|
|
|a теллур
|
| 700 |
1 |
|
|a Богданова, Вера Александровна
|9 148295
|
| 700 |
1 |
|
|a Давлеткильдеев, Надим Анварович
|9 353466
|
| 700 |
1 |
|
|a Коротченко, А. А.
|9 762243
|
| 700 |
1 |
|
|a Нукенов, М. М
|9 378947
|
| 700 |
1 |
|
|a Семиколенова, Надежда Александровна
|9 570498
|
| 700 |
1 |
|
|a Сидоров, Евгений Николаевич
|9 353403
|
| 773 |
0 |
|
|t Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции
|d Томск, 2002
|g С. 70-72
|w 0183-75860
|
| 852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|n ru
|
| 856 |
|
|
|y Перейти в каталог НБ ТГУ
|u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=721084
|
| 908 |
|
|
|a статья
|
| 942 |
|
|
|2 udc
|
| 999 |
|
|
|c 721084
|d 721084
|
