Особенности некоторых физических свойств GaAs при концентрации 10¹⁸ смˉ³. Возможное влияние АСД GaAs
| Published in: | Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 86-88 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Other Authors: | |
| Format: | Book Chapter |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |