Механизм повреждения и способ защиты полупроводниковых устройств от ионизирующего излучения
На основе анализа характеристик электромагнитного излучения рассматриваются механизм и метод защиты полупроводниковых устройств от повреждений ионизирующим излучением. На основании исследований изменения емкости в зависимости от напряжения на затворе сегнетоэлектрического полевого транзистора (FE...
Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 64, № 8. С. 131-142 |
---|---|
Other Authors: | , , , |
Format: | Article |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000721376 Перейти в каталог НБ ТГУ |