Механизм повреждения и способ защиты полупроводниковых устройств от ионизирующего излучения

На основе анализа характеристик электромагнитного излучения рассматриваются механизм и метод защиты полупроводниковых устройств от повреждений ионизирующим излучением. На основании исследований изменения емкости в зависимости от напряжения на затворе сегнетоэлектрического полевого транзистора (FE...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 64, № 8. С. 131-142
Other Authors: Zhu, Weiguo, Lian, Dexing, Zhang, Qingzhao, Hou, Changsong
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000721376
Перейти в каталог НБ ТГУ