|
|
|
|
| LEADER |
01721naa a2200289 c 4500 |
| 001 |
koha000721601 |
| 005 |
20240418102029.0 |
| 008 |
211117s2002 ru f 100 0 rus d |
| 035 |
|
|
|a koha000721601
|
| 039 |
|
|
|z 26
|b 100
|
| 040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Получение твердых растворов GaPxAs1-x, InPxAs1-x, InyGa1-yPxAs1-x, на GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
|c В.В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, Д. Ф. Феклин
|
| 653 |
|
|
|a физика полупроводников
|
| 653 |
|
|
|a твердые растворы
|
| 653 |
|
|
|a полупроводниковые соединения
|
| 653 |
|
|
|a молекулярно-лучевая эпитаксия
|
| 653 |
|
|
|a полупроводниковые материалы
|
| 700 |
1 |
|
|a Преображенский, Валерий Владимирович
|9 86737
|
| 700 |
1 |
|
|a Путято, Михаил Альбертович
|9 566847
|
| 700 |
1 |
|
|9 566850
|a Семягин, Борис Рэмович
|
| 700 |
1 |
|
|9 409135
|a Феклин, Дмитрий Федорович
|
| 773 |
0 |
|
|t Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции
|d Томск, 2002
|g С. 169-170
|w 0183-75860
|
| 852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|n ru
|
| 856 |
|
|
|y Перейти в каталог НБ ТГУ
|u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=721601
|
| 908 |
|
|
|a статья
|
| 942 |
|
|
|2 udc
|
| 999 |
|
|
|c 721601
|d 721601
|
