Модель зародышеобразования в гомоэпитаксии арсенида галлия из пучков As4 и Ga на As - стабилизированной поверхности (001)GaAs
| Published in: | Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 171-173 |
|---|---|
| Other Authors: | , , , , |
| Format: | Book Chapter |
| Language: | Russian |
| Subjects: |