Использование поверхности (311)B GaAs при молекулярно-лучевой эпитаксии сверхрешеток GaAs/AlAs
| Published in: | Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 186-188 |
|---|---|
| Other Authors: | , , |
| Format: | Book Chapter |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |