|
|
|
|
LEADER |
01811naa a2200349 c 4500 |
001 |
koha000721864 |
005 |
20211119162257.0 |
008 |
211119s2002 ru f 100 0 rus d |
035 |
|
|
|a koha000721864
|
039 |
|
|
|z 26
|b 26
|
040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
245 |
1 |
0 |
|a Ионно-лучева изоляция слоев GaAs n- и p- типа проводимости
|c Ю. А. Данилов, J. P. Souza, H. I. Boudinov [и др.]
|
504 |
|
|
|a Библиогр.: 7 назв.
|
653 |
|
|
|a физика полупроводников
|
653 |
|
|
|a полупроводники
|
653 |
|
|
|a полупроводниковые приборы
|
653 |
|
|
|a ионное облучение
|
653 |
|
|
|a поверхностное сопротивление
|
653 |
|
|
|a облучение быстрыми нейтронами
|
653 |
|
|
|a экспериментальные исследования
|
653 |
|
|
|a полупроводниковые материалы
|
700 |
1 |
|
|a Данилов, Юрий Александрович
|9 763687
|
700 |
1 |
|
|a Souza, J. P.
|9 763688
|
700 |
1 |
|
|a Boudinov, H. I.
|9 763689
|
700 |
1 |
|
|a Пронин, А. В.
|9 763690
|
700 |
1 |
|
|a Хохлов, Александр Федорович
|9 504993
|d 1945-2003
|
773 |
0 |
|
|t Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции
|d Томск, 2002
|g С. 235-237
|w 0183-75860
|
852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|n ru
|
856 |
|
|
|y Перейти в каталог НБ ТГУ
|u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=721864
|
908 |
|
|
|a статья
|
942 |
|
|
|2 udc
|
999 |
|
|
|c 721864
|d 721864
|