LEADER 01811naa a2200349 c 4500
001 koha000721864
005 20211119162257.0
008 211119s2002 ru f 100 0 rus d
035 |a koha000721864 
039 |z 26  |b 26 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
245 1 0 |a Ионно-лучева изоляция слоев GaAs n- и p- типа проводимости  |c Ю. А. Данилов, J. P. Souza, H. I. Boudinov [и др.]  
504 |a Библиогр.: 7 назв. 
653 |a физика полупроводников  
653 |a полупроводники 
653 |a полупроводниковые приборы 
653 |a ионное облучение 
653 |a поверхностное сопротивление 
653 |a облучение быстрыми нейтронами  
653 |a экспериментальные исследования 
653 |a полупроводниковые материалы 
700 1 |a Данилов, Юрий Александрович  |9 763687 
700 1 |a Souza, J. P.  |9 763688 
700 1 |a Boudinov, H. I.  |9 763689 
700 1 |a Пронин, А. В.  |9 763690 
700 1 |a Хохлов, Александр Федорович  |9 504993  |d 1945-2003 
773 0 |t Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции  |d Томск, 2002  |g С. 235-237  |w 0183-75860 
852 4 |a RU-ToGU  |n ru 
856 |y Перейти в каталог НБ ТГУ  |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=721864 
908 |a статья 
942 |2 udc 
999 |c 721864  |d 721864