Ионно-лучева изоляция слоев GaAs n- и p- типа проводимости
Published in: | Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 235-237 |
---|---|
Other Authors: | Данилов, Юрий Александрович, Souza, J. P., Boudinov, H. I., Пронин, А. В., Хохлов, Александр Федорович 1945-2003 |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
- Дефектообразование в монокристаллах InSb, облученных найтронами
- Влияние облучения реакторными нейтронами на структуру монокристаллов InP
-
Радиационная физика узкозонных полупроводников
Published: (1998) -
Образование радиационных дефектов в арсениде галлия
by: Пешев, Владимир Викторович -
Влияние облучения ионами водорода на электрофизические свойства металлургически и ядерно-легированного InSb
by: Брудный, Валентин Натанович