Comparative study of SI GaAs detectors with Schottky barriers and epitaxial hing-doped layers
Published in: | Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 263-265 |
---|---|
Other Authors: | , , |
Format: | Book Chapter |
Language: | English |
Subjects: | |
Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |