Comparative study of SI GaAs detectors with Schottky barriers and epitaxial hing-doped layers

Bibliographic Details
Published in:	Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 263-265
Other Authors:	Verbitskaya, E, Bowles, T. J, Eremin, V. K
Format:	Book Chapter
Language:	English
Subjects:	физика полупроводников полупроводники полупроводниковые приборы эпитаксиальные слои арсенид галлия Шоттки барьер детекторы ионизирующей радиации экспериментальные исследования полупроводниковые материалы
Online Access:	Перейти в каталог НБ ТГУ


LEADER	01639naa a2200337 c 4500
001	koha000722143
005	20211124154843.0
008	211124s2002 ru f 100 0 eng d
035			\|a koha000722143
039			\|z 26 \|b 26
040			\|a RU-ToGU \|b rus \|c RU-ToGU
245	1	0	\|a Comparative study of SI GaAs detectors with Schottky barriers and epitaxial hing-doped layers \|c E. Verbitskaya, T. J. Bowles, V. Eremin [et.al.]
504			\|a Библиогр.: 3 назв.
653			\|a физика полупроводников
653			\|a полупроводники
653			\|a полупроводниковые приборы
653			\|a эпитаксиальные слои
653			\|a арсенид галлия
653			\|a Шоттки барьер
653			\|a детекторы ионизирующей радиации
653			\|a экспериментальные исследования
653			\|a полупроводниковые материалы
700	1		\|9 659336 \|a Verbitskaya, E
700			\|9 570464 \|a Bowles, T. J
700	1		\|9 570465 \|a Eremin, V. K
773	0		\|t Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции \|d Томск, 2002 \|g С. 263-265 \|w 0183-75860
852	4		\|a RU-ToGU \|n ru
856			\|y Перейти в каталог НБ ТГУ \|u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=722143
908			\|a статья
942			\|2 udc
999			\|c 722143 \|d 722143

Similar Items