Улучшение характеристик мощных транзисторов интегральных схем на основе ионно-легированных структур арсенида галлия с использованием гидрогенизации в атомарном водороде

Bibliographic Details
Published in:	Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 338-340
Other Authors:	Голиков, А. В, Кагадей, Валерий Алексеевич, Нефедцев, Евгений Валерьевич, Проскуровский, Дмитрий Ильич, Романенко, Святослав Валерьевич, Ромась, Лариса Михайловна, Широкова, Л. С
Format:	Book Chapter
Language:	Russian
Subjects:	физика полупроводников полупроводники полупроводниковые приборы ионно-легированные структуры электронные устройства арсенид галлия гидрогенизация Шоттки диоды транзисторы интегральные схемы атомарный водород экспериментальные исследования полупроводниковые материалы труды ученых ТГУ
Online Access:	Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items