Оптические и фотоэлектрические свойства наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge

Оптические и фотоэлектрические свойства наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge

Представлен анализ научно-технической литературы по оптическим и фотоэлектрическим свойствам наногетероструктур Ge/Si. Описаны особенности полупроводниковых структур с наноразмерными включениями, их оптические и отоэлектрические свойства. Проведен обзор электронной структуры и оптических свойств мат...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Нано- и микросистемная техника № 3. С. 31-41
Corporate Authors: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники, Томский государственный университет Сибирский физико-технический университет Научные подразделения СФТИ, Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ
Other Authors: Войцеховский, Александр Васильевич, Мельников, Александр Александрович доктор физ.-мат. наук, Несмелов, Сергей Николаевич, Коханенко, Андрей Павлович, Лозовой, Кирилл Александрович, Сатдаров, Вадим Газизович, Кульчицкий, Николай Александрович
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
наногетероструктуры
квантовые точки
кремний
германий
солнечные элементы
фотопреобразователи
фотоэлектрические характеристики
статьи в журналах
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000527379

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000527379

Similar Items