Оптические и фотоэлектрические свойства наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge

Представлен анализ научно-технической литературы по оптическим и фотоэлектрическим свойствам наногетероструктур Ge/Si. Описаны особенности полупроводниковых структур с наноразмерными включениями, их оптические и отоэлектрические свойства. Проведен обзор электронной структуры и оптических свойств мат...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Нано- и микросистемная техника № 3. С. 31-41
Corporate Authors: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники, Томский государственный университет Сибирский физико-технический университет Научные подразделения СФТИ, Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ
Other Authors: Войцеховский, Александр Васильевич, Мельников, Александр Александрович доктор физ.-мат. наук, Несмелов, Сергей Николаевич, Коханенко, Андрей Павлович, Лозовой, Кирилл Александрович, Сатдаров, Вадим Газизович, Кульчицкий, Николай Александрович
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000527379
LEADER 03413nab a2200421 c 4500
001 vtls000527379
003 RU-ToGU
005 20241128121913.0
007 cr |
008 170613|2015 ru s c rus d
035 |a to000527379 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
245 1 0 |a Оптические и фотоэлектрические свойства наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge  |c А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников и др. 
504 |a Библиогр.: 21 назв. 
520 3 |a Представлен анализ научно-технической литературы по оптическим и фотоэлектрическим свойствам наногетероструктур Ge/Si. Описаны особенности полупроводниковых структур с наноразмерными включениями, их оптические и отоэлектрические свойства. Проведен обзор электронной структуры и оптических свойств материалов на основе Si/Ge с квантовыми точками Ge. Проведено сравнение спектров фотолюминесценции, электролюминесценции структур данного типа, спектров фотопроводимости, рассмотрено явление отрицательной фотопроводимости. 
653 |a наногетероструктуры 
653 |a квантовые точки 
653 |a кремний 
653 |a германий 
653 |a солнечные элементы 
653 |a фотопреобразователи 
653 |a фотоэлектрические характеристики 
655 4 |a статьи в журналах 
700 1 |a Войцеховский, Александр Васильевич 
700 1 |a Мельников, Александр Александрович  |c доктор физ.-мат. наук 
700 1 |a Несмелов, Сергей Николаевич 
700 1 |a Коханенко, Андрей Павлович 
700 1 |a Лозовой, Кирилл Александрович 
700 1 |a Сатдаров, Вадим Газизович 
700 1 |a Кульчицкий, Николай Александрович 
710 2 |a Томский государственный университет  |b Радиофизический факультет  |b Кафедра квантовой электроники и фотоники 
710 2 |a Томский государственный университет  |b Сибирский физико-технический университет  |b Научные подразделения СФТИ 
710 2 |a Томский государственный университет  |b Радиофизический факультет  |b Публикации студентов и аспирантов РФФ 
773 0 |t Нано- и микросистемная техника  |d 2015  |g № 3. С. 31-41  |x 1813-8586 
852 4 |a RU-ToGU 
856 7 |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000527379 
908 |a статья 
999 |c 8437  |d 8437